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KAIST/IBS解析VEGF-C/VEGFR-3高阶聚集放大淋巴管生成信号
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事件综述
2026年10月2日，监管与产业情报（Pharma-Intel）报道，KAIST联合IBS团队利用冷冻电镜技术解析了VEGF-C与VEGFR-3复合物的三维结构。研究发现，两个VEGFR-3受体在配体VEGF-C诱导下首先形成二聚体，随后多个二聚体复合物可沿细胞膜侧向进一步聚集为高阶簇，从而放大淋巴管生成信号。研究团队通过两种实验手段验证了这一机制：一是突变复合物之间的接触界面，二是利用光控技术人为操控受体聚集，结果均表明侧向高阶聚集对信号放大具有关键作用。该研究为理解淋巴管生成相关疾病的分子机制及开发潜在干预策略提供了新的结构生物学基础。
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报道时间线
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10月2日
- 监管与产业情报（Pharma-Intel）精选KAIST团队解析VEGF-C与VEGFR-3复合物高阶聚集结构，揭示淋巴管生成信号放大新机制
KAIST联合IBS团队利用冷冻电镜解析VEGF-C与VEGFR-3复合物的三维结构，发现两个VEGFR-3受体在配体诱导下形成二聚体后，多个复合物可沿细胞膜侧向进一步聚集为高阶簇以放大淋巴管生成信号；研究通过突变接触界面和光控受体聚集验证了侧向聚集对信号放大的关键作用。
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